БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN150N10MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 150A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 8mA | 360 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
IXFL38N100Q2MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q2 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 29A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 19A, 10V | 5.5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
|
|
IXFN130N30MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 130A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 14500 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN80N48MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 480 V | 80A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 9890 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN200N07MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 70 V | 200A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 480 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN34N100MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 34A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN60N60MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 15000 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFE36N100MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 33A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 18A, 10V | 5.5V @ 8mA | 455 nC @ 10 V | ±20V | 15000 pF @ 25 V | - | 580W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
MMIX1F360N15T2MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
GigaMOS™, TrenchT2™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 235A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 100A, 10V | 5V @ 8mA | 715 nC @ 10 V | ±20V | 47500 pF @ 25 V | - | 680W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
|
|
IXFN38N100Q2MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q2 Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 38A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 7200 pF @ 25 V | - | 890W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
