БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFA5N50P3MOSFET N-CH 500V 5A TO263 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1.65Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 1mA | 6.9 nC @ 10 V | ±30V | 370 pF @ 25 V | - | 114W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA (IXFA) |
|
IXTY1N80MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA IXYS |
0 | - |
|
- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Box | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 750mA (Tc) | 10V | 11Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 25µA | 8.5 nC @ 10 V | ±20V | 220 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
IXTA110N055T7MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Trench | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 110A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 100µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 3080 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 (IXTA) |
|
|
IXTA80N10T7MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7 IXYS |
0 | - |
|
- |
TrenchMV™ | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 80A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 100µA | 60 nC @ 10 V | ±30V | 3040 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 (IXTA) |
|
|
IXTA88N085T7MOSFET N-CH 85V 88A TO263-7 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
TrenchMV™ | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 85 V | 88A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 100µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 3140 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 (IXTA) |
|
|
IXTA32N20TMOSFET N-CH 200V 32A TO263 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Trench | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 32A (Tc) | 10V | 72mOhm @ 16A, 10V | 4.5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1760 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA |
|
|
IXTA1N80MOSFET N-CH 800V 750MA TO263 IXYS |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 750mA (Tc) | 10V | 11Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 25µA | 8.5 nC @ 10 V | ±20V | 220 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA |
|
IXTU05N100MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 750mA (Tc) | 10V | 17Ohm @ 375mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 7.8 nC @ 10 V | ±30V | 260 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
|
|
IXTY12N06TTRLMOSFET N-CH 60V 12A TO252 IXYS |
0 | - |
|
- |
TrenchMV™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 25µA | 3.4 nC @ 10 V | ±20V | 256 pF @ 25 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
IXTP2N80MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2A (Tc) | 10V | 6.2Ohm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 25 V | - | 54W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
