БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUFA76629D3SMOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Fairchild Semiconductor |
3,042 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 52mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 46 nC @ 10 V | ±16V | 1285 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
SSR2N60BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.8A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 490 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQU2N50BTUMOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK Fairchild Semiconductor |
45,243 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 1.6A (Tc) | 10V | 5.3Ohm @ 800mA, 10V | 3.7V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
FDD6776AMOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK Fairchild Semiconductor |
27,440 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 17.7A (Ta), 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.5mOhm @ 17.7A, 10V | 3V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1490 pF @ 13 V | - | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
IRF710MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Fairchild Semiconductor |
19,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 2A (Tc) | - | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 135 pF @ 25 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
FQD3N40TFMOSFET N-CH 400V 2A DPAK Fairchild Semiconductor |
18,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 2A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
SFS9630P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
16,033 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 4.4A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 965 pF @ 25 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
NDS9405MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor |
14,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.3A (Ta) | 4.5V, 10V | 100mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1425 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FQPF7P06MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F Fairchild Semiconductor |
13,827 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 5.3A (Tc) | 10V | 410mOhm @ 2.65A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±25V | 295 pF @ 25 V | - | 24W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
SFP9634MOSFET P-CH 250V 5A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
11,348 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 5A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 37 nC @ 10 V | ±30V | 975 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
