БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCP170N60MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
800 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 11A, 10V | 3.5V @ 250µA | 55 nC @ 10 V | ±20V | 2860 pF @ 380 V | - | 227W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FCH25N60NPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
4,502 | - |
|
Таблицы данных |
SupreMOS™ | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 25A (Tc) | 10V | 126mOhm @ 12.5A, 10V | 4V @ 250µA | 74 nC @ 10 V | ±30V | 3352 pF @ 100 V | - | 216W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
FDBL0150N60FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE Fairchild Semiconductor |
2,380 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-PowerSFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 240A (Tc) | 10V | 1.5mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 169 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 30 V | - | 357W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HPSOF |
|
FQA44N30POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor |
410 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 43.5A (Tc) | 10V | 69mOhm @ 21.75A, 10V | 5V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 5600 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
|
FDP039N08B-F102MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
399 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 120A (Tc) | 10V | 3.9mOhm @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | 133 nC @ 10 V | ±20V | 9450 pF @ 40 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FCA22N60NPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
391 | - |
|
Таблицы данных |
SupreMOS™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±30V | 1950 pF @ 100 V | - | 205W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
|
FCH041N65F-F085MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Fairchild Semiconductor |
163 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 76A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 38A, 10V | 5V @ 250µA | 304 nC @ 10 V | ±20V | 13566 pF @ 25 V | - | 595W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247 |
|
FCH041N65EFL4POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Fairchild Semiconductor |
232 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® II | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 76A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 38A, 10V | 5V @ 7.6mA | 298 nC @ 10 V | ±20V | 12560 pF @ 100 V | - | 595W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
FCH76N60NFPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor |
4,950 | - |
|
Таблицы данных |
SupreMOS™ | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 72.8A (Tc) | 10V | 38mOhm @ 38A, 10V | 5V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 11045 pF @ 100 V | - | 543W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
FQPF6N25MOSFET N-CH 250V 4A TO220F Fairchild Semiconductor |
948 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 nC @ 10 V | ±30V | 300 pF @ 25 V | - | 37W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
