БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL13N60M2MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV STMicroelectronics |
1,361 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 580 pF @ 100 V | - | 55W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) HV |
|
STFI6N62K3MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP STMicroelectronics |
1,500 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-262-3 Full Pack, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 620 V | 5.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 4.5V @ 50µA | 34 nC @ 10 V | ±30V | 875 pF @ 50 V | - | 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-281 (I2PAKFP) |
|
|
STFI7LN80K5MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP STMicroelectronics |
1,499 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-262-3 Full Pack, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 5A (Tc) | 10V | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 100µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 270 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-281 (I2PAKFP) |
;;2.jpg)
|
STD70N6F3MOSFET N-CH 60V 70A DPAK STMicroelectronics |
2,302 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ III | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 70A (Tc) | 10V | 10.5mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD7NM64NMOSFET N-CH 640V 5A DPAK STMicroelectronics |
2,496 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 640 V | 5A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±25V | 363 pF @ 50 V | - | 60W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STU7N80K5MOSFET N-CH 800V 6A IPAK STMicroelectronics |
2,699 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 13.4 nC @ 10 V | ±30V | 360 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
STP5NK60ZMOSFET N-CH 600V 5A TO220AB STMicroelectronics |
1,103 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 2.5A, 10V | 4.5V @ 50µA | 34 nC @ 10 V | ±30V | 690 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STU150N3LLH6MOSFET N-CH 30V 80A IPAK STMicroelectronics |
2,777 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.3mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nC @ 4.5 V | ±20V | 4040 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
|
STFI13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP STMicroelectronics |
1,140 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | TO-262-3 Full Pack, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10A (Tc) | 10V | 430mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 590 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-281 (I2PAKFP) |
|
STFI15N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP STMicroelectronics |
1,496 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | TO-262-3 Full Pack, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 378mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 590 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAKFP (TO-281) |
