БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;2.jpg)
|
STD13NM60NDMOSFET N-CH 600V 11A DPAK STMicroelectronics |
9,424 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 24.5 nC @ 10 V | ±25V | 845 pF @ 50 V | - | 109W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STF13NM60NDMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP STMicroelectronics |
662 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 24.5 nC @ 10 V | ±25V | 845 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STWA30N65DM6AGMOSFET N-CH 650V 28A TO247 STMicroelectronics |
600 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 28A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 14A, 10V | 4.75V @ 250µA | 46 nC @ 10 V | ±25V | 2000 pF @ 100 V | - | 284W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
STB13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK STMicroelectronics |
909 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 100µA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 870 pF @ 100 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
STF20N95K5MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220FP STMicroelectronics |
980 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 17.5A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 100µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1500 pF @ 100 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STF19NM50NMOSFET N-CH 500V 14A TO220FP STMicroelectronics |
982 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 14A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±25V | 1000 pF @ 50 V | - | 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STB14NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK STMicroelectronics |
250 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13.5A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 100µA | 75 nC @ 10 V | ±30V | 2220 pF @ 25 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STP15N80K5MOSFET N-CH 800V 14A TO220 STMicroelectronics |
448 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 14A (Tc) | 10V | 375mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 100µA | 32 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 100 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STW50N65DM2AGMOSFET N-CH 650V 28A TO247 STMicroelectronics |
596 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 28A (Tc) | 10V | 87mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 250µA | 70 nC @ 10 V | ±25V | 3200 pF @ 100 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STF21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP STMicroelectronics |
315 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 8.5A, 10V | 5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±25V | 1950 pF @ 100 V | - | 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
