БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;2.jpg)
|
STD5N62K3MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK STMicroelectronics |
2,467 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 620 V | 4.2A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 2.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 680 pF @ 50 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK STMicroelectronics |
2,450 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 8.5 nC @ 10 V | ±25V | 211 pF @ 100 V | - | 45W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD9N60M2MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK STMicroelectronics |
3,640 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5.5A (Tc) | 10V | 780mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±25V | 320 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STU9N60M2MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK STMicroelectronics |
1,776 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5.5A (Tc) | 10V | 780mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±25V | 320 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
STP3LN80K5MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 STMicroelectronics |
973 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2A (Tc) | 10V | 3.25Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 2.63 nC @ 10 V | ±30V | 102 pF @ 100 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STS10P4LLF6MOSFET P-CH 40V 10A 8SO STMicroelectronics |
2,290 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ F6 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 15mOhm @ 3A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 34 nC @ 4.5 V | ±20V | 3525 pF @ 25 V | - | 2.7W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
STL7N6LF3MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT STMicroelectronics |
4,860 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ F3 | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Tc) | 5V, 10V | 43mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.7 nC @ 10 V | ±20V | 432 pF @ 25 V | - | 4.3W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) |
|
|
STU5N62K3MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK STMicroelectronics |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 620 V | 4.2A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 2.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 680 pF @ 50 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
STF5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP STMicroelectronics |
1,959 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.7A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1.85A, 10V | 4V @ 250µA | 4.5 nC @ 10 V | ±25V | 165 pF @ 100 V | - | 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STL2N80K5MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT STMicroelectronics |
2,935 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2A (Tc) | 10V | 4.9Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 3 nC @ 10 V | ±30V | 95 pF @ 100 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) |
