БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB STMicroelectronics |
2,110 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 8.5A, 10V | 5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±25V | 1950 pF @ 100 V | - | 125W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP8NK80ZMOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB STMicroelectronics |
1,006 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6.2A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V | 4.5V @ 100µA | 46 nC @ 10 V | ±30V | 1320 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
;;2.jpg)
|
STD11NM65NMOSFET N CH 650V 11A DPAK STMicroelectronics |
4,162 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 455mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±25V | 800 pF @ 50 V | - | 110W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STD80N340K6N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP., STMicroelectronics |
2,442 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 100µA | 17.8 nC @ 10 V | ±30V | 950 pF @ 400 V | - | 92W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
STB200NF03T4MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK STMicroelectronics |
1,651 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ III | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 120A (Tc) | 10V | 3.6mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 4950 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STW28N60M2MOSFET N-CH 600V 24A TO247 STMicroelectronics |
598 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 37 nC @ 10 V | ±25V | 1370 pF @ 100 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STD7NM80MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK STMicroelectronics |
4,281 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6.5A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 3.25A, 10V | 5V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 620 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STP13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO220 STMicroelectronics |
1,013 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 100µA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 870 pF @ 100 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP10N105K5MOSFET N-CH 1050V 6A TO220 STMicroelectronics |
913 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1050 V | 6A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 21.5 nC @ 10 V | 30V | 545 pF @ 100 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STB28N65M2MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK STMicroelectronics |
4,928 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±25V | 1440 pF @ 100 V | - | 170W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
