БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB80NF55-06-1MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 189 nC @ 10 V | ±20V | 4400 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
STD4NK50Z-1MOSFET N-CH 500V 3A IPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3A (Tc) | 10V | 2.7Ohm @ 1.5A, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 310 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
STB14NK50Z-1MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 14A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 100µA | 92 nC @ 10 V | ±30V | 2000 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
STP200N4F3MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STF8NM60NDMOSFET N-CH 600V 7A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 560 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STB95N3LLH6MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 24.5 nC @ 4.5 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
;;2.jpg)
|
STD40N2LH5MOSFET N-CH 25V 40A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ V | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 40A (Tc) | 5V, 10V | 11.8mOhm @ 20A, 10V | 1V @ 250µA | 6.3 nC @ 5 V | ±22V | 700 pF @ 20 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD75N3LLH6MOSFET N-CH 30V 75A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 37.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1690 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STB18NM60NMOSFET N-CH 600V 13A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 285mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±25V | 1000 pF @ 50 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
STU75N3LLH6-SMOSFET N-CH 30V 75A IPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.9mOhm @ 37.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1690 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
