БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP35N65M5MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 27A (Tc) | 10V | 98mOhm @ 13.5A, 10V | 5V @ 250µA | 83 nC @ 10 V | ±25V | 3750 pF @ 100 V | - | 160W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STWA50N65DM2AGMOSFET N-CH 650V 38A TO247 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 38A (Tc) | 10V | 87mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 250µA | 69 nC @ 10 V | ±25V | 3200 pF @ 100 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-3 |
|
STF30NM50NMOSFET N-CH 500V 27A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 115mOhm @ 13.5A, 10V | 4V @ 250µA | 94 nC @ 10 V | ±25V | 2740 pF @ 50 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STB16NM50NMOSFET N-CH 500V 15A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 15A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±25V | 1200 pF @ 50 V | - | 125W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STH265N6F6-6AGMOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ F6 | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 180A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 183 nC @ 10 V | ±20V | 11800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-6 |
|
STL20NM20NMOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 20A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±30V | 800 pF @ 25 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) |
|
STH265N6F6-2AGMOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ F6 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 180A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 183 nC @ 10 V | ±20V | 11800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-2 |
|
|
STH290N4F6-2AGMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 180A (Tc) | 10V | 1.7mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 115 nC @ 10 V | ±20V | 7380 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-2 |
|
STWA20N95DK5MOSFET N-CH 950V 18A TO247 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DK5 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 18A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 100µA | 50.7 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
STWA46N65DM6AGDISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 50A (Tc) | 10V | 63mOhm @ 25A, 10V | 4.75V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±25V | 3344 pF @ 100 V | - | 391W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247 Long Leads |
