БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STFH40N60M2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 34A (Tc) | 10V | 88mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 57 nC @ 10 V | ±25V | 2500 pF @ 100 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STP360N4F6MOSFET N-CH 40V 120A TO220 STMicroelectronics |
12 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 1.8mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 340 nC @ 10 V | ±20V | 17930 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220 |
|
STB6NM60NMOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4.6A (Tc) | 10V | 920mOhm @ 2.3A, 10V | 4V @ 250µA | 13 nC @ 10 V | ±25V | 420 pF @ 50 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STW160N75F3MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 120A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 85 nC @ 10 V | ±20V | 6750 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
STB40NF10T4MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 50A (Tc) | 10V | 28mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 1780 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -50°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
STB80NF55-08T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STW19NM65NMOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15.5A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 7.75A, 10V | 4V @ 250µA | 55 nC @ 10 V | ±25V | 1900 pF @ 50 V | - | 150W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STP80N20M5MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 61A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 30.5A, 10V | 5V @ 250µA | 104 nC @ 10 V | ±25V | 4329 pF @ 50 V | - | 190W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP26NM60NDMOSFET N-CH 600V 21A TO220 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 54.6 nC @ 10 V | ±25V | 1817 pF @ 100 V | - | 190W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STI23NM60NMOSFET N-CH 600V 19A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 19A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nC @ 10 V | ±25V | 2050 pF @ 50 V | - | 150W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
