БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL19N60M2MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | - | 4V @ 250µA | 21.5 nC @ 10 V | ±25V | 791 pF @ 100 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (8x8) HV |
|
STP18N60M6MOSFET N-CH 600V 13A TO220 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M6 | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 6.5A, 10V | 4.75V @ 250µA | 16.8 nC @ 10 V | ±25V | 650 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STP4NB80MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerMESH™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4A (Tc) | 10V | 3.3Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 920 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STF15N65M5MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 Full Pack | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±25V | 816 pF @ 100 V | - | 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STL7NM60NMOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | 14-PowerVQFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5.8A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±25V | 363 pF @ 50 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 14-PowerFLAT™ (5x5) |
|
STL17N60M6MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M6 | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 6A, 10V | 4.75V @ 250µA | 16.7 nC @ 10 V | ±25V | 575 pF @ 100 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (8x8) HV |
|
STK800MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK STMicroelectronics |
17 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | PolarPak® | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.8mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13.4 nC @ 4.5 V | ±16V | 1380 pF @ 25 V | - | 5.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PolarPak® |
|
|
STFI10LN80K5MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-262-3 Full Pack, I2PAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 8A (Tc) | 10V | 630mOhm @ 4A, 10V | 5V @ 100µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 427 pF @ 100 V | - | 20W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-281 (I2PAKFP) |
|
STI8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±25V | 690 pF @ 100 V | - | 70W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
;;2.jpg)
|
STD10NM65NMOSFET N-CH 650V 9A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 850 pF @ 50 V | - | 90W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
