БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6004RND3TL1600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Rohm Semiconductor |
2,700 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 15V | 1.73Ohm @ 2A, 15V | 7V @ 450µA | 10.5 nC @ 15 V | ±30V | 230 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
RD3L04BBKHRBTLNCH 60V 40A, TO-252 (DPAK), POWE Rohm Semiconductor |
2,789 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 348µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 30 V | - | 53W (Tc) | 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-252 |
|
|
RQ3G270BKFRATCBAUTOMOTIVE NCH 40V 27A POWER MOS Rohm Semiconductor |
3,475 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
RQ3G270BJFRATCBPCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO Rohm Semiconductor |
2,365 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 27A (Tc) | 4.5V, 10V | 22mOhm @ 27A, 10V | 2.5V @ 485µA | 32 nC @ 10 V | +5V, -20V | 1810 pF @ 20 V | - | 69W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
RQ3L270BLFRATCBNCH 60V 27A, HSMT8AG, POWER MOSF Rohm Semiconductor |
3,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
RQ3L270BKFRATCBNCH 60V 27A, HSMT8AG, POWER MOSF Rohm Semiconductor |
3,475 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
RQ3P270BKFRATCBNCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS Rohm Semiconductor |
3,475 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 27A (Tc) | 4.5V, 10V | 27mOhm @ 27A, 10V | 2.5V @ 1.6mA | 13.6 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 50 V | - | 69W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
RD3P02BATTL1PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3 Rohm Semiconductor |
1,120 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 20A (Tc) | 6V, 10V | 116mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1480 pF @ 50 V | - | 56W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
R6007KND3TL1NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S Rohm Semiconductor |
2,494 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 2.4A, 10V | 5V @ 1mA | 14.5 nC @ 10 V | ±20V | 470 pF @ 25 V | - | 78W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
RH6E040BGTB1NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.9mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 1mA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 15 V | - | 2W (Ta), 78W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
