БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ6E085BNTCRMOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457 Rohm Semiconductor |
3,348 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 8.5A (Tc) | 10V | 14.4mOhm @ 8.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 32.7 nC @ 10 V | ±20V | 1350 pF @ 15 V | - | 1.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
RS1G150MNTBMOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP Rohm Semiconductor |
1,732 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 15A (Ta), 43A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.6mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 930 pF @ 20 V | - | 3W (Ta), 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSOP |
|
RXH070N03TB1MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP Rohm Semiconductor |
1,374 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7A (Ta) | 4V, 10V | 28mOhm @ 7A, 10V | 2.5V @ 1mA | 5.8 nC @ 5 V | ±20V | 390 pF @ 10 V | - | 1.4W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
|
RQ7E110AJTCRMOSFET N-CH 30V 11A TSMT8 Rohm Semiconductor |
584 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Tc) | 4.5V | 9mOhm @ 4.5A, 11V | 1.5V @ 10mA | 22 nC @ 4.5 V | ±12V | 2410 pF @ 15 V | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT8 |
|
|
RQ7E055ATTCRMOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8 Rohm Semiconductor |
6,311 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5.5A (Tc) | 10V | 24.5mOhm @ 5.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 18.8 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF @ 15 V | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT8 |
|
|
RS3E135BNGZETBMOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP Rohm Semiconductor |
4,961 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.5A (Ta) | 10V | 14.6mOhm @ 9.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 8.3 nC @ 4.5 V | ±20V | 680 pF @ 15 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
|
|
RQ6L020SPTCRMOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 Rohm Semiconductor |
15,100 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 210mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 1mA | 7.2 nC @ 5 V | ±20V | 750 pF @ 10 V | - | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
|
RQ7G080BGTCRNCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET Rohm Semiconductor |
5,756 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 8A (Ta) | 4.5V, 10V | 16.5mOhm @ 8A, 10V | 2.5V @ 1mA | 10.6 nC @ 10 V | ±20V | 530 pF @ 20 V | - | 1.1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT8 |
|
RW4E045AJTCL1NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0 Rohm Semiconductor |
1,919 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-PowerUFDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 4.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 40mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 4 nC @ 4.5 V | ±12V | 450 pF @ 15 V | - | 1.5W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DFN1616-7T |
|
RD3L080SNTL1MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Rohm Semiconductor |
3,719 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 8A (Ta) | 4V, 10V | 80mOhm @ 8A, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.4 nC @ 10 V | ±20V | 380 pF @ 10 V | - | 15W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
