БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RRQ030P03HZGTRMOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3A (Ta) | 4V, 10V | 125mOhm @ 1.5A, 4V | 2.5V @ 1mA | 5.2 nC @ 5 V | ±20V | 480 pF @ 10 V | - | 950mW (Ta) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
QS5U12TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Rohm Semiconductor |
2,608 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.9 nC @ 4.5 V | ±12V | 175 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
|
|
QS5U17TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Rohm Semiconductor |
8,661 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.9 nC @ 4.5 V | ±12V | 175 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 900mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
;;6.jpg)
|
RF4E110BNTRMOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 Rohm Semiconductor |
952 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerUDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 11.1mOhm @ 11A, 10V | 2V @ 250µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 15 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | HUML2020L8 |
|
|
RSQ035N03HZGTRMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 Rohm Semiconductor |
1,382 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3.5A (Ta) | 4V, 10V | 62mOhm @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.4 nC @ 5 V | ±20V | 290 pF @ 10 V | - | 950mW (Ta) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
RRL025P03TRMOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 Rohm Semiconductor |
5,480 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.5A (Ta) | 4V, 10V | 75mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 5.2 nC @ 5 V | ±20V | 480 pF @ 10 V | - | 320mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT6 |
|
RS1E280GNTBMOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP Rohm Semiconductor |
262 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.6mOhm @ 28A, 10V | 2.5V @ 1mA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 15 V | - | 3W (Ta), 31W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSOP |
|
RV4C020ZPHZGTCR1PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF Rohm Semiconductor |
2,412 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-PowerWFDFN | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 260mOhm @ 2A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 2 nC @ 4.5 V | ±8V | 80 pF @ 10 V | - | 1.5W (Ta) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount, Wettable Flank | DFN1616-6W |
|
|
RSQ025P03HZGTRMOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 Rohm Semiconductor |
1,003 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.5A (Ta) | 4V, 10V | 110mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 4.4 nC @ 5 V | ±20V | 320 pF @ 10 V | - | 950mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
|
RS1E240BNTBMOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP Rohm Semiconductor |
7,388 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Ta), 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.2mOhm @ 24A, 10V | 2.5V @ 1mA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 15 V | - | 3W (Ta), 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSOP |
