БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTBG032N065M3SSIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S onsemi |
615 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 52A (Tc) | 15V, 18V | 44mOhm @ 15A, 18V | 4V @ 7.5mA | 55 nC @ 18 V | +22V, -8V | 1409 pF @ 400 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
|
NVMTS001N06CLTXGT6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI onsemi |
5,433 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | 56.9A (Ta), 398.2A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-DFNW (8.3x8.4) |
|
|
NVMFS5C604NT1GNFET SO8FL 60V 287A 1.2MO onsemi |
1,445 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 10 V | 40A (Ta), 287A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.2mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 6400 pF @ 25 V | - | 3.9W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
|
|
NVHL065N65S3FSUPERFET3 650V TO247 onsemi |
398 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® III, FRFET® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 46A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 1.3mA | 98 nC @ 10 V | ±30V | 4075 pF @ 400 V | - | 337W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
NTBLS002N08MCMOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF onsemi |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 28A (Ta), 238A (Tc) | 6V, 10V | 2mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 530µA | 92 nC @ 10 V | ±20V | 6580 pF @ 40 V | - | 2.9W (Ta), 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HPSOF |
|
|
NTH4L023N065M3SSIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S onsemi |
458 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 40A (Tc) | 15V, 18V | 33mOhm @ 20A, 18V | 4V @ 10mA | 69 nC @ 18 V | +22V, -8V | 1952 pF @ 400 V | - | 245W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
NTHL032N065M3SSIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S onsemi |
815 | - |
|
- |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 51A (Tc) | 15V, 18V | 44mOhm @ 15A, 18V | 4V @ 7.5mA | 55 nC @ 18 V | +22V, -8V | 1410 pF @ 400 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
NVMFS5C604NWFT1GNFET SO8FL 60V 287A 1.2MO onsemi |
1,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 10 V | 40A (Ta), 287A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.2mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 6400 pF @ 25 V | - | 3.9W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
|
|
NTH4L032N065M3SSIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S onsemi |
618 | - |
|
- |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 50A (Tc) | 15V, 18V | 44mOhm @ 15A, 18V | 4V @ 7.5mA | 55 nC @ 18 V | +22V, -8V | 1410 pF @ 400 V | - | 187W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
NVHL050N65S3FSF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247 onsemi |
450 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® III, FRFET® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 58A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 29A, 10V | 5V @ 1.7mA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 5404 pF @ 400 V | - | 403W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
