БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTBG060N090SC1SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7 onsemi |
786 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 900 V | 5.8A (Ta), 44A (Tc) | 15V | 84mOhm @ 20A, 15V | 4.3V @ 5mA | 88 nC @ 15 V | +19V, -10V | 1800 pF @ 450 V | - | 3.6W (Ta), 211W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
NTHL033N65S3HFMOSFET N-CH 650V 70A TO247-3 onsemi |
402 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® III | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 70A (Tc) | 10V | 33mOhm @ 35A, 10V | 5V @ 2.5mA | 188 nC @ 10 V | ±30V | 6720 pF @ 400 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247 onsemi |
358 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® II | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 76A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 38A, 10V | 5V @ 7.6mA | 298 nC @ 10 V | ±20V | 12560 pF @ 100 V | - | 595W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
NTH4L040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-4 onsemi |
310 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® III | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 65A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 32.5A, 10V | 5V @ 2.1mA | 158 nC @ 10 V | ±30V | 5940 pF @ 400 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
NTHL040N65S3HFMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 onsemi |
393 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® III | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 65A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 32.5A, 10V | 5V @ 2.1mA | 159 nC @ 10 V | ±30V | 5945 pF @ 400 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
FCH060N80-F155MOSFET N-CH 800V 56A TO247 onsemi |
850 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 56A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 29A, 10V | 4.5V @ 5.8mA | 350 nC @ 10 V | ±20V | 14685 pF @ 100 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V onsemi |
790 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 62A (Tc) | 15V, 18V | 50mOhm @ 25A, 18V | 4.3V @ 8mA | 105 nC @ 18 V | +22V, -8V | 1890 pF @ 325 V | - | 242W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
|
NTHL019N65S3HMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 onsemi |
430 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® III | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 75A (Tc) | - | 19.3mOhm @ 37.5A, 10V | 4V @ 14.3mA | 282 nC @ 10 V | ±30V | 15993 pF @ 400 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
NTH4L025N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 onsemi |
247 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 99A (Tc) | 15V, 18V | 28.5mOhm @ 45A, 18V | 4.3V @ 15.5mA | 164 nC @ 18 V | +22V, -8V | 3480 pF @ 15 V | - | 348W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
NVBG060N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V onsemi |
1,580 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 46A (Tc) | 15V, 18V | 70mOhm @ 20A, 18V | 4.3V @ 6.5mA | 74 nC @ 18 V | - | 1473 pF @ 325 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK-7 |
