БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SFW9530TMMOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10.5A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 5.3A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1035 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 66W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
SFW9640TMMOSFET P-CH 200V 11A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 11A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 59 nC @ 10 V | ±30V | 1585 pF @ 25 V | - | 3.1W (Ta), 123W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
SFW9Z34TMMOSFET P-CH 60V 18A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 18A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1155 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 82W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
SSH70N10AMOSFET N-CH 100V 70A TO3PN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 70A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 195 nC @ 10 V | ±20V | 4870 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
|
SSP45N20B_FP001MOSFET N-CH 200V 35A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 35A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 17.5A, 10V | 4V @ 250µA | 173 nC @ 10 V | ±30V | 4300 pF @ 25 V | - | 176W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
SSR1N60BTMMOSFET N-CH 600V 900MA DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 900mA (Tc) | 10V | 12Ohm @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
|
SSR1N60BTM-WSMOSFET N-CH 600V 900MA DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 900mA (Tc) | 10V | 12Ohm @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
SSU1N60BTU-WSMOSFET N-CH 600V 900MA IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 900mA (Tc) | 10V | 12Ohm @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTD5806NT4GMOSFET N-CH 40V 33A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 33A (Tc) | 4.5V, 10V | 19mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
FCPF22N60NTMOSFET N-CH 600V 22A TO220F onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SupreMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±45V | 1950 pF @ 100 V | - | 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
