БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD6780MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 16.5A (Ta), 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.5mOhm @ 16.5A, 10V | 3V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1590 pF @ 13 V | - | 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FDD8444-F085MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 145A (Tc) | 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 116 nC @ 10 V | ±20V | 6195 pF @ 25 V | - | 153W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-252AA |
|
FDN361BNMOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 110mOhm @ 1.4A, 10V | 3V @ 250µA | 1.8 nC @ 4.5 V | ±20V | 193 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 155°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
|
FDP20N50MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 20A (Tc) | 10V | 230mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 59.5 nC @ 10 V | ±30V | 3120 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDS5682MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 21mOhm @ 7.5A, 10V | 2V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
|
FDS5692ZMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 5.8A (Ta) | 4.5V, 10V | 24mOhm @ 5.8A, 10V | 3V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 1025 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FDI025N06MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 265A (Tc) | 10V | 2.5mOhm @ 75A, 10V | 4.5V @ 250µA | 226 nC @ 10 V | ±20V | 14885 pF @ 25 V | - | 395W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
|
FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 5.8A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±25V | 250 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FDA24N50MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 24A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 85 nC @ 10 V | ±30V | 4150 pF @ 25 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
|
FCA16N60_F109MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET™ | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 16A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 70 nC @ 10 V | ±30V | 2250 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
