БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD20P06L-1GMOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 15.5A (Ta) | 5V | 150mOhm @ 7.5A, 5V | 2V @ 250µA | 26 nC @ 5 V | ±20V | 1190 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD24N06L-1GMOSFET N-CH 60V 24A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta) | 5V | 45mOhm @ 10A, 5V | 2V @ 250µA | 32 nC @ 5 V | ±15V | 1140 pF @ 25 V | - | 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTMFS4701NT1GMOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7.7A (Ta) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±20V | 1280 pF @ 24 V | - | 900mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
|
NTP2955GMOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB onsemi |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.4A (Ta) | 10V | 196mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
VN2222LLRLRAGMOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 150mA (Ta) | 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 400mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92 (TO-226) |
|
|
VN2410LZL1GMOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads | Tape & Box (TB) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 200mA (Ta) | 2.5V, 10V | 10Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 350mW (Tc) | - | - | - | Through Hole | TO-92 (TO-226) |
|
FQNL1N50BTAMOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads | Tape & Box (TB) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 270mA (Tc) | 10V | 9Ohm @ 135mA, 10V | 3.7V @ 250µA | 5.5 nC @ 10 V | ±30V | 150 pF @ 25 V | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
FQNL2N50BBUMOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3 onsemi |
0 | - |
|
- |
QFET® | TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 350mA (Tc) | 10V | 5.3Ohm @ 175mA, 10V | 3.7V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
IRLM210ATFMOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 770mA (Ta) | 5V | 1.5Ohm @ 390mA, 5V | 2V @ 250µA | 9 nC @ 5 V | ±20V | 240 pF @ 25 V | - | 1.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-4 |
|
|
FQNL2N50BTAMOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 350mA (Tc) | 10V | 5.3Ohm @ 175mA, 10V | 3.7V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
