БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMSD6N303R2MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 6A (Ta) | 4.5V, 10V | 32mOhm @ 6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 24 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
MCH3415-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
24,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTLUS4195PZTBGMOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-PowerUFDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 4.5V, 10V | 90mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 5 nC @ 4.5 V | ±20V | 250 pF @ 15 V | - | 600mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-UDFN (1.6x1.6) |
|
NTLUS3A18PZTCGMOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-UDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.1A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 18mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 28 nC @ 4.5 V | ±8V | 2240 pF @ 15 V | - | 700mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-UDFN (2x2) |
|
STD1059-001NFET DPAK SPECIAL onsemi |
15,225 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTHD4N02FT1MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.9A (Tj) | 2.5V, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 4 nC @ 4.5 V | ±12V | 300 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 910mW (Tj) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | ChipFET™ |
|
NTTD4401FR2GMOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 90mOhm @ 3.3A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±10V | 750 pF @ 16 V | Schottky Diode (Isolated) | 780mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-MSOP |
|
NTMFS4945NT3GMOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN onsemi |
10,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7.4A (Ta), 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 17.6 nC @ 10 V | ±20V | 1205 pF @ 15 V | - | 910mW (Ta), 19.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
|
NTD4857N-1GMOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 12A (Ta), 78A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nC @ 4.5 V | ±20V | 1960 pF @ 12 V | - | 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
MTDF1N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET onsemi |
4,639 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
