БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTS2P03R2MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.1A (Ta) | 4.5V, 10V | 85mOhm @ 2.48A, 10V | 3V @ 250µA | 22 nC @ 4.5 V | ±20V | 500 pF @ 24 V | - | 600mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-MSOP |
|
MCH3416-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
150,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MCH3421-TL-EMOSFET N-CH 100V 800MA 3MCPH onsemi |
141,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 3-SMD, Flat Leads | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 800mA (Ta) | - | 890mOhm @ 400mA, 10V | - | 4.8 nC @ 10 V | - | 165 pF @ 20 V | - | 900mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-MCPH |
|
|
MCH3377-S-TL-EMOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 onsemi |
129,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NDS356AP-NB8L005A-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN onsemi |
94,589 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.1A (Ta) | 4.5V, 10V | 200mOhm @ 1.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.4 nC @ 5 V | ±20V | 280 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
|
CPH6316-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
81,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MMDFS3P303R2P-CHANNEL MOSFET onsemi |
77,500 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTD3817NT4GMOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 16 V | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.9mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 10.5 nC @ 4.5 V | ±16V | 702 pF @ 12 V | - | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET onsemi |
69,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTD4809NH-35GMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.6A (Ta), 58A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±20V | 2155 pF @ 12 V | - | 1.3W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
