БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRH25N12U3RH MOSFET _ U3 Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | 3-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 12.4A (Tc) | 12V | 210mOhm @ 7.5A, 12V | 4V @ 1mA | 50 nC @ 12 V | ±20V | 1980 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | U3 (SMD-0.5) |
|
|
MSC035SMA070JMOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Box | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
|
|
MSC015SMA070JMOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Box | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
|
|
TN2130MF-G-VAOMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MO Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 85mA (Tj) | 4.5V | 25Ohm @ 120mA, 4.5V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TA) | - | - | Surface Mount | 6-DFN (2x2) |
|
|
TP5335MF-G-VAOMOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 85mA (Tj) | 4.5V, 10V | 30Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 110 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q100 | Surface Mount | 6-DFN (2x2) |
|
|
JANSR2N7584T1RH MOSFET 200V TO-254AA Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
CD-MSCSM70XM19CTYZBNMGST-MOSFET-SIC-SBD-6HPD Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
APL602LG-1MOSFET LINEAR 600 V 49 A TO-264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 49A (Tc) | 12V | 125mOhm @ 24.5A, 12V | 4V @ 2.5mA | - | ±30V | 9000 pF @ 25 V | - | 730W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (L) |
|
|
APT80GA90B2D40MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC035SMA070SCT/RMOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 71A (Tc) | 18V, 20V | 44mOhm @ 30A, 20V | 5V @ 2mA | 93 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1806 pF @ 700 V | - | 276W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
