БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT8052BFLLGMOSFET N-CH 800V 15A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 15A (Tc) | - | 520mOhm @ 7.5A, 10V | 5V @ 1mA | 75 nC @ 10 V | - | 2035 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT8056BVRGMOSFET N-CH 800V 16A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 16A (Tc) | - | 560mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 275 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT56M60LMOSFET N-CH 600V 60A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 280 nC @ 10 V | ±30V | 11300 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 |
|
|
APT84F50LMOSFET N-CH 500V 84A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 84A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT5014SLLGMOSFET N-CH 500V 35A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 35A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 17.5A, 10V | 5V @ 1mA | 72 nC @ 10 V | ±30V | 3261 pF @ 25 V | - | 403W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT10090BFLLGMOSFET N-CH 1000V 12A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 12A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 71 nC @ 10 V | ±30V | 1969 pF @ 25 V | - | 298W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT30M61SLLG/TRMOSFET N-CH 300V 54A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 54A (Tc) | 10V | 61mOhm @ 27A, 10V | 5V @ 1mA | 64 nC @ 10 V | ±30V | 3720 pF @ 25 V | - | 403W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
APT56M60B2MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 280 nC @ 10 V | ±30V | 11300 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT75F50LMOSFET N-CH 500V 75A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 75A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 11600 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT6025SVRGMOSFET N-CH 600V 25A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 25A (Tc) | - | 250mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 275 nC @ 10 V | - | 5160 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
