БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg)
|
VN2406L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Microchip Technology |
1,271 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 190mA (Tj) | 2.5V, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TP0620N3-GMOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3 Microchip Technology |
791 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 175mA (Tj) | 5V, 10V | 12Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TN2640N3-GMOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3 Microchip Technology |
167 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 220mA (Tj) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 2mA | - | ±20V | 225 pF @ 25 V | - | 740mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VN0550N3-G-P013MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 Microchip Technology |
2,099 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50mA (Tj) | 5V, 10V | 60Ohm @ 50mA, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 55 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VN4012L-GMOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3 Microchip Technology |
457 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 160mA (Tj) | 4.5V | 12Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.8V @ 1mA | - | ±20V | 110 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TP2635N3-GMOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3 Microchip Technology |
344 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 180mA (Tj) | 2.5V, 10V | 15Ohm @ 300mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VP2206N3-G-P003MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Microchip Technology |
2,228 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 640mA (Tj) | 5V, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 3.5V @ 10mA | - | ±20V | 450 pF @ 25 V | - | 740mW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VN2224N3-GMOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 Microchip Technology |
1,025 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 540mA (Tj) | 5V, 10V | 1.25Ohm @ 2A, 10V | 3V @ 5mA | - | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
APT8M100BMOSFET N-CH 1000V 8A TO247 Microchip Technology |
536 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 8A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 1mA | 60 nC @ 10 V | ±30V | 1885 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK Microchip Technology |
442 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 6A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
