БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOTF7S65MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
aMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 9.2 nC @ 10 V | ±30V | 434 pF @ 100 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
|
AOTF8N60MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1370 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
AOU1N60MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.3A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 650mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 160 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251-3 |
|
|
AOU4S60MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
aMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 2A, 10V | 4.1V @ 250µA | 6 nC @ 10 V | ±30V | 263 pF @ 100 V | - | 56.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251-3 |
|
|
AOU7S65MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
aMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 9.2 nC @ 10 V | ±30V | 434 pF @ 100 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251-3 |
|
AOW10N60MOSFET N-CH 600V 10A TO262 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AOW10N65MOSFET N-CH 650V 10A TO262 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 33 nC @ 10 V | ±30V | 1645 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AOW11S60MOSFET N-CH 600V 11A TO262 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 399mOhm @ 3.8A, 10V | 4.1V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±30V | 545 pF @ 100 V | - | 178W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AOW11S65MOSFET N-CH 650V 11A TO262 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
aMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 399mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 13.2 nC @ 10 V | ±30V | 646 pF @ 100 V | - | 198W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AOW12N50MOSFET N-CH 500V 12A TO262 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 6A, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 nC @ 10 V | ±30V | 1633 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
