БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOM060V75X2Q750V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
330 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 29A (Tc) | 15V | 80mOhm @ 6A, 15V | 3.5V @ 6mA | 39.4 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1165 pF @ 400 V | - | 103W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
AOK060V75X2Q750V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
240 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 29A (Tc) | 15V | 80mOhm @ 6A, 15V | 3.5V @ 6mA | 39.4 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1165 pF @ 400 V | - | 103W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247 |
|
|
AOM065V120X21200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
238 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40.3A (Tc) | 15V | 85mOhm @ 10A, 15V | 3.5V @ 10mA | 62.3 nC @ 15 V | +18V, -8V | 1716 pF @ 800 V | - | 187.5W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
AOM065V120X2Q1200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
238 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40.3A (Tc) | 15V | 85mOhm @ 10A, 15V | 3.5V @ 10mA | 62.3 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1716 pF @ 800 V | - | 187.5W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
AOK065V65X2MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247 Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
225 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 40.3A (Tc) | 15V | 85mOhm @ 10A, 15V | 3.5V @ 10mA | 58.8 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1762 pF @ 400 V | - | 187.5W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
AOK065V120X2Q1200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
240 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40.3A (Tc) | 15V | 85mOhm @ 10A, 15V | 3.5V @ 10mA | 62.3 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1716 pF @ 800 V | - | 187.5W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247 |
|
|
AOK033V120X21200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
208 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 15V | 43mOhm @ 20A, 15V | 2.8V @ 17.5mA | 104 nC @ 15 V | +15V, -5V | 2908 pF @ 800 V | - | 300W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
AOK065V120X2SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
118 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40.3A (Tc) | 15V | 85mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 250µA | 62.3 nC @ 15 V | +18V, -8V | 1716 pF @ 800 V | - | 187.5W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
AOM033V120X2Q1200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
150 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 15V | 43mOhm @ 20A, 15V | 2.8V @ 17.5mA | 104 nC @ 15 V | +18V, -8V | 2908 pF @ 800 V | - | 300W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4L |
|
|
AOM033V120X21200V SILICON CARBIDE MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
234 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 15V | 43mOhm @ 20A, 15V | 2.8V @ 17.5mA | 104 nC @ 15 V | +15V, -5V | 2908 pF @ 800 V | - | 300W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
