БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6775MTRPBFIRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
597 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MZ | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | 10V | 56mOhm @ 5.6A, 10V | 5V @ 100µA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1411 pF @ 25 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MZ |
|
IRF1010ZPBFIRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
350 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2840 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
IRF8113GPBFMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 17.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 2.2V @ 250µA | 36 nC @ 4.5 V | ±20V | 2910 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
AUIRLR3705ZAUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 42A, 10V | 3V @ 250µA | 66 nC @ 5 V | ±16V | 2900 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
IRFP048NPBFHEXFET POWER MOSFET International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 64A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
|
IRF3709SPBFHEXFET SMPS POWER MOSFET International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 90A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF @ 16 V | - | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFI4228PBF-IRHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 34A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4560 pF @ 25 V | - | 46W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
|
IRF9383MTRPBFIRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 22A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.9mOhm @ 22A, 10V | 2.4V @ 150µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 7305 pF @ 15 V | - | 2.1W (Ta), 113W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
|
AUIRF3710ZSTRRMOSFET N-CH 100V 59A D2PAK International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 59A (Tc) | - | 18mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | - | 2900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRF7737L2TRMOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L6 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 31A (Ta), 156A (Tc) | 10V | 1.9mOhm @ 94A, 10V | 4V @ 150µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 5469 pF @ 25 V | - | 3.3W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET L6 |
