制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
64-4095PBFMOSFET N-CH SMD D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
AUIRF2804L-313MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
![]() |
AUIRFSL4010-306MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
![]() |
AUIRFSL4010-313MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
![]() |
AUXNS0306RTRLMOSFET N-CH DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
AUXNSF2804STRL7PMOSFET N-CH Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IGT40R070D1ATMA1GAN HV Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 400 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 382 pF @ 320 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
![]() |
IGOT60R070D1E8220AUMA1GAN HV Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-87 |
![]() |
IGT60R070D1E8220ATMA1GAN HV Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
![]() |
IGO60R070D1E8220AUMA1GAN HV Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-85 |