БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7746PBFMOSFET N-CH 75V 59A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 59A (Tc) | 6V, 10V | 10.6mOhm @ 35A, 10V | 3.7V @ 100µA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 3049 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
IRFB7787PBFMOSFET N-CH 75V 76A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 76A (Tc) | 6V, 10V | 8.4mOhm @ 46A, 10V | 3.7V @ 100µA | 109 nC @ 10 V | ±20V | 4020 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
IRFSL7430PBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 1.2mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nC @ 10 V | ±20V | 14240 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFSL7434PBFMOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 nC @ 10 V | ±20V | 10820 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRFSL7530PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 3.7V @ 250µA | 411 nC @ 10 V | ±20V | 13703 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-262 |
|
|
IRFSL7534PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 3.7V @ 250µA | 279 nC @ 10 V | ±20V | 10034 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-262 |
|
|
IRFSL7787PBFMOSFET N-CH 75V 76A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 76A (Tc) | 6V, 10V | 8.4mOhm @ 46A, 10V | 3.7V @ 100µA | 109 nC @ 10 V | ±20V | 4020 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRLS3813TRLPBFMOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 160A (Tc) | 10V | 1.95mOhm @ 148A, 10V | 2.35V @ 150µA | 83 nC @ 4.5 V | ±20V | 8020 pF @ 25 V | - | 195W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) |
|
AUIRFN8403TRMOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 95A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 3174 pF @ 25 V | - | 4.3W (Ta), 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRF7580MTRPBFMOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric ME | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 114A (Tc) | 6V, 10V | 3.6mOhm @ 70A, 10V | 3.7V @ 150µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 6510 pF @ 25 V | - | 115W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric ME |
