БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9328PBFMOSFET P-CH 30V 12A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 11.9mOhm @ 12A, 10V | 2.4V @ 25µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 1680 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF9333PBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 19.4mOhm @ 9.2A, 10V | 2.4V @ 25µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1110 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF9335PBFMOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 59mOhm @ 5.4A, 10V | 2.4V @ 10µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 386 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF9388PBFMOSFET P-CH 30V 12A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Ta) | 10V, 20V | 8.5mOhm @ 12A, 20V | 2.4V @ 25µA | 52 nC @ 10 V | ±25V | 1680 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF9393PBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.2A (Ta) | 10V, 20V | 13.3mOhm @ 9.2A, 20V | 2.4V @ 25µA | 38 nC @ 10 V | ±25V | 1110 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRFH5106TRPBFMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 21A (Ta), 100A (Tc) | 10V | 5.6mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 3090 pF @ 25 V | - | 3.6W (Ta), 114W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
IRFH5110TRPBFMOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 11A (Ta), 63A (Tc) | 10V | 12.4mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 100µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 3152 pF @ 25 V | - | 3.6W (Ta), 114W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
IRFH5207TRPBFMOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 13A (Ta), 71A (Tc) | 10V | 9.6mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 100µA | 59 nC @ 10 V | ±20V | 2474 pF @ 25 V | - | 3.6W (Ta), 105W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
IRFH5303TRPBFMOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 23A (Ta), 82A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 49A, 10V | 2.35V @ 50µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 2190 pF @ 15 V | - | 3.6W (Ta), 46W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
IRLH5036TRPBFMOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.4mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150µA | 90 nC @ 10 V | ±16V | 5360 pF @ 25 V | - | 3.6W (Ta), 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
