БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IAUC41N06S5N102ATMA1MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8 Infineon Technologies |
14,496 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 47A (Tj) | 7V, 10V | 10.2mOhm @ 20A, 10V | 3.4V @ 13µA | 16.3 nC @ 10 V | ±20V | 1112.1 pF @ 30 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-33 |
|
IPS70R600P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 Infineon Technologies |
1,495 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 8.5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 1.8A, 10V | 3.5V @ 90µA | 10.5 nC @ 10 V | ±16V | 364 pF @ 400 V | - | 43W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
|
IPD50R650CEAUMA1MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3 Infineon Technologies |
1,223 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CE | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 13V | 650mOhm @ 1.8A, 13V | 3.5V @ 150µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 342 pF @ 100 V | - | 69W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-344 |
|
|
IPD50N03S4L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 Infineon Technologies |
3,905 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 20µA | 31 nC @ 10 V | ±16V | 2330 pF @ 25 V | - | 56W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
IPN60R600PFD7SATMA1CONSUMER PG-SOT223-3 Infineon Technologies |
8,772 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ PFD7 | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 1.7A, 10V | 4.5V @ 80µA | 8.5 nC @ 10 V | ±20V | 344 pF @ 400 V | - | 7W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
ISC026N03L5SATMA1MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Infineon Technologies |
21,409 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.6mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-6 |
|
IPN70R450P7SATMA1MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Infineon Technologies |
3,165 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 10A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 2.3A, 10V | 3.5V @ 120µA | 13.1 nC @ 10 V | ±16V | 424 pF @ 400 V | - | 7.1W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223 |
|
|
IPD25N06S240ATMA2MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31 Infineon Technologies |
2,427 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 29A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 26µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 513 pF @ 25 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
IPC70N04S5L4R2ATMA1MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 Infineon Technologies |
14,280 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 35A, 10V | 2V @ 17µA | 30 nC @ 10 V | ±16V | 1600 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-34 |
|
IPA50R800CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220 Infineon Technologies |
287 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CE | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.1A (Tc) | 13V | 800mOhm @ 1.5A, 13V | 3.5V @ 130µA | 12.4 nC @ 10 V | ±20V | 280 pF @ 100 V | - | 26.4W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-FP |
