FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    VHM40-06P1

    VHM40-06P1

    MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - ECO-PAC2 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 38A 70mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 3mA 220nC @ 10V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ECO-PAC2
    VMM1000-01P

    VMM1000-01P

    MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

    IXYS

    0
    RFQ
    VMM1000-01P

    Таблицы данных

    - Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 1000A 1.2mOhm @ 800A, 10V 4V @ 10mA 2355nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
    VMM85-02F

    VMM85-02F

    MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4-M6

    IXYS

    0
    RFQ
    VMM85-02F

    Таблицы данных

    HiPerFET™ Y4-M6 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 84A 25mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 450nC @ 10V 15000pF @ 25V 370W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y4-M6
    VWM200-01P

    VWM200-01P

    MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

    IXYS

    0
    RFQ
    VWM200-01P

    Таблицы данных

    - V2-PAK Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 210A 5.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 2mA 430nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount V2-PAK
    GWM100-0085X1-SMD

    GWM100-0085X1-SMD

    MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ
    GWM100-0085X1-SMD

    Таблицы данных

    - 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 85V 103A 6.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 114nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM100-01X1-SLSAM

    GWM100-01X1-SLSAM

    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM100-01X1-SMDSAM

    GWM100-01X1-SMDSAM

    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM120-0075P3-SL

    GWM120-0075P3-SL

    MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ
    GWM120-0075P3-SL

    Таблицы данных

    - 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    FMM110-015X2F

    FMM110-015X2F

    MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 53A 20mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 8600pF @ 25V 180W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMP76-010T

    FMP76-010T

    MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    Trench™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 62A, 54A 11mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104nC @ 10V 5080pF @ 25V 89W, 132W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    Общий 78 Записывать«Предыдущая12345678Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ