FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMJD027N06CLTWG

    NVMJD027N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 7.7A 8LFPAK

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMJD027N06CLTWG

    Таблицы данных

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 60V 7.7A (Ta), 21A (Tc) 27mOhm @ 9A, 10V 2.2V @ 13µA 5nC @ 10V 335pF @ 30V 3.2W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMJD015N06CLTWG

    NVMJD015N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMJD015N06CLTWG

    Таблицы данных

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 60V 10.1A (Ta), 35A (Tc) 14.4mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 25µA 9.4nC @ 10V 643pF @ 30V 3.1W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMJD7D4N04CLTWG

    NVMJD7D4N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMJD7D4N04CLTWG

    Таблицы данных

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMJD012N06CLTWG

    NVMJD012N06CLTWG

    MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMJD012N06CLTWG

    Таблицы данных

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 11.5A (Ta), 42A (Tc) 11.9mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 30µA 11.5nC @ 10V 792pF @ 25V 3.2W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMFD5C470NT1G

    NVMFD5C470NT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 11.7A 8DFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMFD5C470NT1G

    Таблицы данных

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 11.7A (Ta), 36A (Tc) 11.7mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V 420pF @ 25V 3.1W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NVMJD5D4N04CTWG

    NVMJD5D4N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMJD5D4N04CTWG

    Таблицы данных

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFD5C462NLT1G

    NVMFD5C462NLT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NVMFD5C462NLT1G

    Таблицы данных

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 18A (Ta), 84A (Tc) 4.7mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 40µA 11nC @ 4.5V 1300pF @ 25V 3W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    FAM65CR51ADZ1

    FAM65CR51ADZ1

    MOSFET 2N-CH 650V 41A APMCD-B16

    onsemi

    0
    RFQ
    FAM65CR51ADZ1

    Таблицы данных

    - 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 650V 41A (Tc) 51mOhm @ 20A, 10V 5V @ 3.3mA 123nC @ 10V 4864pF @ 400V 189W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APMCD-B16
    NVXK2TR80WDT

    NVXK2TR80WDT

    MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32

    onsemi

    0
    RFQ
    NVXK2TR80WDT

    Таблицы данных

    - 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 82W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NVXK2VR80WXT2

    NVXK2VR80WXT2

    MOSFET 6N-CH 1200V 31A APM32

    onsemi

    0
    RFQ
    NVXK2VR80WXT2

    Таблицы данных

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    Общий 962 Записывать«Предыдущая1... 5455565758596061...97Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ