FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MSCSM120DUM31TBL1NG

    MSCSM120DUM31TBL1NG

    MOSFET 2N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120DUM31TBL1NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM31TBL1NG

    MSCSM120AM31TBL1NG

    MOSFET 2N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120AM31TBL1NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120HM50T3AG

    MSCSM120HM50T3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 55A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120HM50T3AG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 2mA 137nC @ 20V 1990pF @ 1000V 245W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120VR1M31C1AG

    MSCSM120VR1M31C1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 89A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120VR1M31C1AG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120DUM31CTBL1NG

    MSCSM120DUM31CTBL1NG

    MOSFET 2N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120DUM31CTBL1NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM31CTBL1NG

    MSCSM120AM31CTBL1NG

    MOSFET 2N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120AM31CTBL1NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM16T1AG

    MSCSM120AM16T1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 173A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120AM16T1AG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 173A (Tc) 16mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 6mA 464nC @ 20V 6040pF @ 1000V 745W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120DHM31CTBL2NG

    MSCSM120DHM31CTBL2NG

    MOSFET 2N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120DHM31CTBL2NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120HM31T3AG

    MSCSM120HM31T3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 89A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120HM31T3AG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120HM31TBL2NG

    MSCSM120HM31TBL2NG

    MOSFET 4N-CH 1200V 79A

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120HM31TBL2NG

    Таблицы данных

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 79A 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 3mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 310W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Общий 303 Записывать«Предыдущая1... 7891011121314...31Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ