制造商 | Серия | Упаковка | Состояние продукта | Тип ядра | Устройство поставщика Упаковка | Материал | Диаметр | Коэффициент индуктивности (Al) | Допуск | Зазор | Эффективная проницаемость (µe) | Начальная проницаемость (µi) | Коэффициент сердечника (ΣI/A) мм⁻¹ | Эффективная длина (le) мм | Эффективная площадь (Ae) мм² | Минимальное поперечное сечение сердечника (Amin) мм² | Эффективная Магнитный объем (Ve) мм³ | Отделка | Высота | Длина | Ширина |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Упаковка | Состояние продукта | Тип ядра | Устройство поставщика Упаковка | Материал | Диаметр | Коэффициент индуктивности (Al) | Допуск | Зазор | Эффективная проницаемость (µe) | Начальная проницаемость (µi) | Коэффициент сердечника (ΣI/A) мм⁻¹ | Эффективная длина (le) мм | Эффективная площадь (Ae) мм² | Минимальное поперечное сечение сердечника (Amin) мм² | Эффективная Магнитный объем (Ve) мм³ | Отделка | Высота | Длина | Ширина |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AB2.8X4.5DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
2,824 | - |
|
- |
AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.224" (5.70mm) | - | - |
![]() |
AB3X2X3DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
8,147 | - |
|
- |
AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.165" (4.20mm) | - | - |